环球热推荐:瑞萨电子推出新一代Si IGBT 用于电动汽车逆变器

来源:盖世汽车时间:2022-08-31 16:36:46


(资料图片)

8月30日,半导体解决方案供应商瑞萨电子公司(Renesas Electronics Corporation)宣布开发新一代Si-IGBT(硅绝缘栅双极晶体管)。该产品体积小且功率损耗低,可用于下一代电动汽车逆变器。

图片来源:瑞萨

根据该公司的计划,2023年上半年,该AE5代IGBT将在瑞萨电子日本Naka工厂的200和300毫米晶圆生产线上量产。2024年上半年,瑞萨电子将开始在其位于日本甲府(Kofu)的新功率半导体300毫米晶圆厂提高产量,以满足市场对功率半导体产品不断增长的需求。



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关键词: 瑞萨电子 新一代Si IGBT 电动汽车逆变器

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